现代激情 NEO晓示推出3D X-AI芯片：神经汇集性能晋升100倍，功耗镌汰99%
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7月19日音尘，在好意思国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 FMS 2024（内存和存储的往日）会议上，NEO Semiconductor 首席实行官 Andy Hsu 晓示，将推出 一款更变游戏顺序的 3D DRAM——3D X-AI，具有 AI 处分功能，将数据存储和数据处分长入在单个芯片中，将神经汇集（ANN）性能提高 100 倍，功耗镌汰 99%。
Andy Hsu示意，基于NEO 的3D X-DRAM本事，3D X-AI模拟东说念主工神经汇集，包括用于权重数据存储的突触和用于数据处分的神经元，使其特地妥当加快下一代AI芯片和哄骗。3D X-AI 可替代高带宽内存 （HBM），有望权贵鼓励 AI 芯片缱绻和 AI 职责负载优化。
据先容，单个 3D X-AI 芯片包括 300 层 3D DRAM，容量为 128 Gb，以及 1 层神经汇集电路，具有 8,000 个神经元，每个芯片因循高达 10 TB/s的 AI 处分蒙眬量。使用 12 个堆叠 HBM 封装的 3D X-AI 芯片，只需一个 3D X-AI 芯片，即可将 3D X-AI 芯片的容量和性能晋升 12 倍，达到 1,536 Gb （192 GB） 容量和 120 TB/s 的处分蒙眬量。
“典型的东说念主工智能芯片使用基于处分器的神经汇集。这波及长入高带宽内存来模拟用于存储权重数据的突触和图形处分单位 （GPU） 来模拟用于实行数学计较的神经元。性能受到HBM和GPU之间数据传输的放肆，往来数据传输会镌汰AI芯片性能并加多功耗，“NEO创举东说念主兼首席实行官Andy Hsu说：“具有 3D X-AI 的 AI 芯片使用基于内存的神经汇集。这些芯片具有神经汇集功能，每个 3D X-AI 芯片中齐有突触和神经元。在实行 AI 操作时，它们用于大幅减少 GPU 和 HBM 之间数据传输数据的重荷职责负载。咱们的 3D DRAM极地面提高了 AI 芯片的性能和可执续性。”
黄药师剪辑：芯智讯现代激情